RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
77
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
73
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
1724
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link