RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сравнить
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB против Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
59
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.3
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
59
Скорость чтения, Гб/сек
10.3
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2390
2025
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link