RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
37
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
19
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
19.5
Скорость записи, Гб/сек
10.6
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
3435
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link