SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

总分
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

总分
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    19 left arrow 37
    左右 -95% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    19.5 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    15.8 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    37 left arrow 19
  • 读取速度,GB/s
    14.7 left arrow 19.5
  • 写入速度,GB/s
    10.6 left arrow 15.8
  • 内存带宽,mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2438 left arrow 3435
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较