RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2852
2545
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link