SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Сообщить об ошибке

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 48

Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.5 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 7.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 25
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 14.5
Скорость записи, Гб/сек

7.0 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1955 2368

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Kingston 9965640-016.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

модули RAM