RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2830
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Corsair CMSO8GX3M1A1333C9 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link