RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
94
Около -194% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
32
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3579
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link