RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
94
Wokół strony -194% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
32
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3579
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link