SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 48
    Около 15% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.6 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.3 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    41 left arrow 48
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.6 left arrow 8.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 5.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1438 left arrow 1420
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения