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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
48
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
48
读取速度,GB/s
11.6
8.9
写入速度,GB/s
7.3
5.9
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
1420
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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