RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
43
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
3035
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link