RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
64
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
64
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
6.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
2052
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link