RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
64
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
64
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2052
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link