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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
64
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
64
读取速度,GB/s
10.9
16.8
写入速度,GB/s
6.6
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
2052
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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