RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
73
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
73
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
6.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
1843
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link