RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
70
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
70
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
1934
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link