SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против Kingston 9965669-018.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Средняя оценка

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.7 12.1

Среднее значение в тестах

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 42

Около -35% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 31
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 12.1
Скорость записи, Гб/сек

8.3 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2152 2460

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB

Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB

Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

модули RAM