RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB против Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1822
3098
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link