RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.1
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
41
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
7.8
Скорость записи, Гб/сек
7.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
1512
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link