RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
52
Около -41% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.9
9.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
1949
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link