RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
69
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
69
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
1980
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link