RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
65
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2595
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link