RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
65
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2595
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link