RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
65
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2595
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link