RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
44
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3131
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link