SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    14.7 left arrow 13.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.6 left arrow 9.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 14200
    Около 1.2% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 37
    Около -42% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.7 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.6 left arrow 9.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 14200
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2438 left arrow 2425
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения