SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.7 left arrow 13.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.6 left arrow 9.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 14200
    En 1.2% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 37
    En -42% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.7 left arrow 13.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.6 left arrow 9.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 14200
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2438 left arrow 2425
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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