SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.7 left arrow 13.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.6 left arrow 9.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 14200
    Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 37
    Intorno -42% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    37 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.7 left arrow 13.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.6 left arrow 9.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 14200
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2438 left arrow 2425
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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