SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.7 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.6 left arrow 9.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 14200
    Por volta de 1.2% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 37
    Por volta de -42% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    37 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.7 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.6 left arrow 9.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 14200
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2438 left arrow 2425
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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