SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14.7 left arrow 13.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.6 left arrow 9.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 14200
    Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 37
    Wokół strony -42% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C-RD 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.7 left arrow 13.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.6 left arrow 9.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 14200
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2438 left arrow 2425
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania