RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
44
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2945
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link