RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
46
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2961
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link