RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
54
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
54
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2938
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link