RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2488
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link