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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
12.3
15.1
写入速度,GB/s
7.8
9.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2488
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
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