SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Средняя оценка

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Сообщить об ошибке

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Причины выбрать
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 44

Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.1 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 35
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 17.6
Скорость записи, Гб/сек

7.8 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1977 3221

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston 9905665-009.A00G 4GB

Kingston 9905665-009.A00G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

модули RAM

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Kingston 9905665-009.A00G 4GB

Kingston 9905665-009.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB

Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

модули RAM