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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
12.3
17.6
写入速度,GB/s
7.8
12.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3221
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
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