RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3221
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link