RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около 60% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
73
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1605
1724
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link