RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
73
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,711.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
73
Скорость чтения, Гб/сек
4,018.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,711.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
1724
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Сравнения RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link