RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,978.2
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
66
Около -106% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
3385
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link