SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 13.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,978.2 11.4

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 66

Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 33
Скорость чтения, Гб/сек

2,929.1 13.5
Скорость записи, Гб/сек

2,978.2 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

511 2588

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston 9965600-005.A00G 16GB

Kingston 9965600-005.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

модули RAM