RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,978.2
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около -144% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2809
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link