RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,978.2
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
66
Около -120% меньшая задержка
Выше пропускная способность
23400
6400
Около 3.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
23400
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2709
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link