RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
66
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
2,978.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
44
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2727
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link