SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,076.1 11.8

Среднее значение в тестах

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Причины выбрать
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 59

Около -168% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 22
Скорость чтения, Гб/сек

4,723.5 16.9
Скорость записи, Гб/сек

2,076.1 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

741 2947

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Kingston 9905624-014.A00G 4GB

Kingston 9905624-014.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston XRMWRN-MIE 16GB

Kingston XRMWRN-MIE 16GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905474-052.A00LF 2GB

Kingston 9905474-052.A00LF 2GB

Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB

Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB

модули RAM

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB

модули RAM