SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 68

Около -66% меньшая задержка
Выше скорость чтения

7.7 4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.6 2,013.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 41
Скорость чтения, Гб/сек

4,402.8 7.7
Скорость записи, Гб/сек

2,013.5 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

701 1855

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

модули RAM