RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
INTENSO 5641162 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против INTENSO 5641162 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
INTENSO 5641162 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
INTENSO 5641162 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
44
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
INTENSO 5641162 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
23
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
2799
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
INTENSO 5641162 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link