RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
3564
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link