RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
61
Около 43% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
61
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1570
2028
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link